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图4对零偏压附近光生空穴主宰的隧穿光电流的电学表征（a）黑暗条件下MoS2/h-BN/graphene器件在不同栅极电压（Vg）下的差分电阻（b）光照条件下MoS2/h-BN/graphene器件在不同栅极电压（Vg）下的差分电阻（入射光功率：款电32μW，款电波长：532nm）（c）Vg=-60V时的净光电流。应裙此类通过界面修饰提高光伏效应的方法为基于石墨烯的自供电光电探测的应用提供了新的器件设计方案。
受益于石墨烯（graphene）通道的超高增益，推出其光电导器件通常具有极高的光响应度，但也因此伴随着暗电流大，功耗高和低频噪声偏大等问题。然而，款电石墨烯与其他二维材料构建的异质结由于其界面处光生载流子的复合作用，其在零偏压下光伏效应往往受到明显抑制，从而影响其光电性能。（c，应裙d）零偏压下MoS2/graphene光电二极管和MoS2 /h-BN/graphene器件在黑暗和光照下的能带示意图（e，应裙f）负偏压下MoS2 /graphene光电二极管和MoS2/h-BN/graphene器件在黑暗和光照下的能带示意图分别表示载流子漂移，层间耦合和载流子隧穿图3用荧光光谱证明界面处的层间耦合及h-BN插层对该层间耦合的阻挡效应单层MoS2，单层MoS2/h-BN/graphene三层结构和单层MoS2/graphene异质结的光致发光光谱的对比。
因此，推出通过器件结构设计，如何提升该异质结在零偏压下的光伏电流具有非常重要的研究意义。款电此方法可使多层MoS2/Graphene异质结的短路光电流增加超过三个数量级。
入射光能量均为2.32μW，应裙波长为532nm）。
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